SI9433BDY-T1-GE3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  SI9433BDY-T1-GE3
• Производитель
  Vishay Intertechnology
• Описание
  Vishay Intertechnology SI9433BDY-T1-GE3 Current - Continuous Drain (id) @ 25?° C: 4.5A Drain Source Voltage Vds: -20V Drain To Source Voltage (vdss): 20V Fet Feature: Logic Level Gate Fet Type: MOSFET P-Channel, Metal Oxide Gate Charge (qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V ID_COMPONENTS: 1716131 Mounting Type: Surface Mount On Resistance Rds(on): 30mohm Operating Temperature Range: -55?‚?°C To +150?‚?°C Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Power - Max: 1.3W Rds On (max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6.2A, 4.5V Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V Rohs Compliant: Yes Series: - Transistor: RoHS Compliant Transistor Case Style: SOIC Transistor Polarity: P Channel Vgs(th) (max) @ Id: 1.5V @ 250?µA Voltage Vgs Max: 12V Other Names: SI9433BDY-T1-GE3TR
• Количество страниц
  6 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SI9433BDY-T1-GE3.pdf
Файл формата Pdf 98,43 KB